硅片的制作主要方法(關(guān)于硅片制作的過(guò)程)
1.關(guān)于硅片制作的過(guò)程
硅片的等級(jí)：
MG-Si → SeG-Si → SoG-Si
提煉要經(jīng)過(guò)一下過(guò)程：
石英砂→冶金級(jí)硅→提煉和精煉→沉積多晶硅錠→單晶硅→硅片切割。
冶金級(jí)硅MG-Si
提煉硅的原始材料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的結(jié)晶巖即石灰?guī)r，在大型的電弧爐中用碳還原：SiO2+2C→Si+2CO
定期倒出爐，用氧氣、氧氯混合氣體提純，然后倒入淺槽在槽中凝固，隨后被搗成塊狀。
MG-Si提純?yōu)镾eG-Si
提煉標(biāo)準(zhǔn)方法為：西門(mén)子工。
MG-Si被轉(zhuǎn)變?yōu)閾]發(fā)性的化合物，接著采用分餾的方法將其冷凝被提純。
工藝程序：用Hcl把細(xì)碎的MG-Si變成流體
使用催化劑加速反應(yīng)進(jìn)行：Si+3Hcl→SiHcl3+H2
MG-Si →SiHcl3 硅膠工業(yè)原材料
為提取MG-Si可加熱混合氣體使SiHcl3 被H2還原，硅以細(xì)晶粒的多晶硅形成沉積到電加熱棒上如右：SiHcl3+H2 →Si+3Hcl
SeG-Si提純到SoG-Si
將SeG-Si多晶硅熔融，同時(shí)加入器件所需的微量參雜劑，通常采用硼（P型參雜劑）。
在溫度可以精細(xì)控制的情況下用籽晶能夠成熔融的硅中拉出大圓柱形的單晶硅棒。直徑過(guò)125cm長(zhǎng)度為1~2m。
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2.多晶硅制造方法及步驟
多晶硅太陽(yáng)能電池制造工藝簡(jiǎn)述 關(guān)于光的吸收 對(duì)于光吸收主要是： （1）降低表面反射；（2）改變光在電池體內(nèi)的路徑；（3）采用背面反射。
對(duì)于單晶硅，應(yīng)用各向異性化學(xué)腐蝕的方法可在（100）表面制作金字塔狀的絨面結(jié)構(gòu)，降低表面光反射。 但多晶硅晶向偏離（100）面，采用上面的方法無(wú)法作出均勻的絨面，目前大多采用下列方法： [1]激光刻槽：用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔結(jié)構(gòu)，在 500~900nm 光譜范圍內(nèi)，反射率為 4~6%，與表面制作雙層減反射膜相當(dāng)。
而在（100）面單晶硅化學(xué)制作絨面的反射率為 11%。 用激光制作絨面比在光滑面鍍雙層減反射膜層（ZnS/MgF2）電池的短路電流要提高 4%左右，這主要是長(zhǎng)波光（波長(zhǎng)大于 800nm）斜射進(jìn)入電池的原因。
激光制作絨面存在的問(wèn)題是在刻蝕中，表面造成損傷同時(shí)引入一些雜質(zhì)，要通過(guò)化學(xué)處理去除表面損傷層。該方法所作的太陽(yáng)電池通常短路電流較高，但開(kāi)路電壓不太高，主要原因是電池表面積增加，引起復(fù)合電流提高。
[2]化學(xué)刻槽：應(yīng)用掩膜（Si3N4 或 SiO2）各向同性腐蝕，腐蝕液可為酸性腐蝕液，也可為濃度較高的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液， 該方法無(wú)法形成各向異性腐蝕所形成的那種尖錐狀結(jié)構(gòu)。 據(jù)報(bào)道，該方法所形成的絨面對(duì) 700~1030 微米光譜范圍有明顯的減反射作用。
但掩膜層一般要在較高的溫度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特別對(duì)質(zhì)量較低的多晶材料，少子壽命縮短。應(yīng)用該工藝在 225cm2 的多晶硅上所作電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 16.4%。
掩膜層也可用絲網(wǎng)印刷的方法形成。 [3]反應(yīng)離子腐蝕 （RIE）：該方法為一種無(wú)掩膜腐蝕工藝， 所形成的絨面反射率特別低， 450~在 1000 微米光譜范圍的反射率可小于 2%。
僅從光學(xué)的角度來(lái)看，是一種理想的方法，但存在的問(wèn)題是硅表面損傷嚴(yán)重，電池的開(kāi)路電壓和填充因子出現(xiàn)下降。 [4]制作減反射膜層：對(duì)于高效太陽(yáng)電池，最常用和最有效的方法是蒸鍍 ZnS/MgF2 雙層減反射 膜，其最佳厚度取決于下面氧化層的厚度和電池表面的特征，例如，表面是光滑面還是絨面，減反射工藝也有蒸鍍 Ta2O5, PECVD 沉積 Si3N3 等。
ZnO 導(dǎo)電膜也可作為減反材料。 金屬化技術(shù)在高效電池的制作中，金屬化電極必須與電池的設(shè)計(jì)參數(shù)，如表面摻雜濃度、PN 結(jié)深，金屬材料相匹配。
實(shí)驗(yàn)室電池一般面積比較?。娣e小于 4cm2），所以需要細(xì)金屬柵線(xiàn)（小于 10 微米），一般采用的方法為光刻、電子束蒸發(fā)、電子鍍。工業(yè)化大生產(chǎn)中也使用電鍍工藝，但蒸發(fā)和光刻結(jié)合使用時(shí)，不屬于低成本工藝技術(shù)。
[1]電子束蒸發(fā)和電鍍：通常，應(yīng)用正膠剝離工藝，蒸鍍 Ti/Pa/Ag 多層金屬電極，要減小金屬電極 所引起的串聯(lián)電阻，往往需要金屬層比較厚（8~10 微米）。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅表面/鈍化 層介面損傷，使表面復(fù)合提高，因此，工藝中，采用短時(shí)蒸發(fā) Ti/Pa 層，在蒸發(fā)銀層的工藝。
另一個(gè)問(wèn)題是金屬與硅接觸面較大時(shí)，必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度提高。 在這一工藝中，采用了隧道結(jié)接觸的方法，在硅和金屬成間形成一個(gè)較薄的氧化層（一般厚度為 20 微米左右）應(yīng)用功函數(shù)較低的金屬（如鈦等）可在硅表面感應(yīng)一個(gè)穩(wěn)定的電子積累層（也可引入固定正電荷加深反型）。
另外一種方法是在鈍化層上開(kāi)出小窗口（小于 2 微米），再淀積較寬的金屬柵線(xiàn)（通常為 10 微米），形成 mushroom—like 狀電極，用該方法在 4cm2 Mc-Si 上電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 17.3%。目前，在機(jī)械 刻槽表面也運(yùn)用了 Shallow angle (oblique)技術(shù)。
PN 結(jié)的形成技術(shù) [1]發(fā)射區(qū)形成和磷吸雜：對(duì)于高效太陽(yáng)能電池， 發(fā)射區(qū)的形成一般采用選擇擴(kuò)散， 在金屬電極下方形成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間實(shí)現(xiàn)淺濃度擴(kuò)散， 發(fā)射區(qū)的淺濃度擴(kuò)散即增強(qiáng)了電池對(duì)藍(lán)光的響應(yīng)，又使硅表面易于鈍化。擴(kuò)散的方法有兩步擴(kuò)散工藝、擴(kuò)散加腐蝕工藝和掩埋擴(kuò)散工藝。
目前采用選擇擴(kuò)散，15*15cm2 電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 16.4%,n++、n+區(qū)域的表面方塊電阻分別為 20Ω和 80Ω.對(duì)于 Mc—Si 材料， 擴(kuò)磷吸雜對(duì)電池的影響得到廣泛的研究， 較長(zhǎng)時(shí)間的磷吸雜過(guò)程 （一般 3~ 4 小時(shí)），可使一些 Mc—Si 的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在對(duì)襯底濃度對(duì)吸雜效應(yīng)的研究中發(fā)現(xiàn)，即便對(duì)高濃度的襯第材料，經(jīng)吸雜也能夠獲得較大的少， 子擴(kuò)散長(zhǎng)度 （大于 200 微米） 電池的開(kāi)路電壓大于 638mv， 轉(zhuǎn)換效率超過(guò) 17%。
[2]背表面場(chǎng)的形成及鋁吸雜技術(shù)：在 Mc—Si 電池中，背 p+p 結(jié)由均勻擴(kuò)散鋁或硼形成，硼源一般為 BN、BBr、APCVD SiO2:B2O8 等，鋁擴(kuò)散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁，800 度下燒結(jié)所完成，對(duì)鋁吸雜的作用也開(kāi)展了大量的研究，與磷擴(kuò)散 吸雜不同，鋁吸雜在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺陷也參與了雜質(zhì)的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中，對(duì) Mc—Si 產(chǎn)生不利的影響。
到目前為至，區(qū)域背場(chǎng)已應(yīng)用于單晶硅電池工藝中，但在多晶硅中，還是應(yīng)用全鋁背表面場(chǎng)結(jié)構(gòu)。 多晶硅制造工藝根據(jù)生產(chǎn)原材料的不同，使用不同的設(shè)備，運(yùn)用不同的生產(chǎn)工藝、方法制造多晶硅。
多晶硅制造工藝，目前主流的方法多是采用改良西門(mén)子工藝技術(shù)： 多晶硅是由硅。
3.太陽(yáng)能硅片制造的全過(guò)程
純凈的硅（Si）是從自然界中的石英礦石（主要成分二氧化硅）中提取出來(lái)的，分幾步反應(yīng)：
1.二氧化硅和炭粉在高溫條件下反應(yīng)，生成粗硅：
SiO2+2C==Si（粗）+2CO
2.粗硅和氯氣在高溫條件下反應(yīng)生成氯化硅：
Si（粗）+2Cl2==SiCl4
3.氯化硅和氫氣在高溫條件下反應(yīng)得到純凈硅：
SiCl4+2H2==Si（純）+4HCl
以上是硅的工業(yè)制法，在實(shí)驗(yàn)室中可以用以下方法制得較純的硅：
1.將細(xì)砂粉（SiO2）和鎂粉混合加熱，制得粗硅：
SiO2+2Mg==2MgO+Si（粗）
2.這些粗硅中往往含有鎂，氧化鎂和硅化鎂，這些雜質(zhì)可以用鹽酸除去：
Mg+2HCl==MgCl2+H2
MgO+2HCl==MgCl2+H2O
Mg2Si+4HCl==2MgCl2+SiH4
3.過(guò)濾，濾渣即為純硅
4.太陽(yáng)能硅片的制造
制造太陽(yáng)能電池的硅片和其制造方法及裝置，該硅片是由低純度硅
底板和高純度硅層構(gòu)成，高純度硅層是用熔融狀態(tài)的高純度硅的硅原子在低純度硅底板上結(jié)
晶凝固而成，可以大大提高硅片的高純度硅的利用率。并提供了六種硅片的制造方法及裝置，
分別是甩脫式硅片制造方法及裝置，傾斜式硅片制造方法及裝置，連續(xù)式硅片制造方法及裝
置，模鑄式硅片制造方法及裝置，豎立式硅片制造方法及裝置和滾涂式硅片制造方法和裝置。
超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片本體為上、下兩平行平面組成的方形薄片，方形薄片四角為
四個(gè)相同的45°倒角，上、下兩平面的距離為165μm-195μm范圍，翹曲度
小于75μm，表面光潔、平整、無(wú)瑕疵。超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片切割工藝是采用硅
晶棒開(kāi)方機(jī)將硅晶圓棒直接切割成截面為方形、四角為相同45°倒角的八角方
型柱體，切削余料為塊狀，可回爐再利用。還采用優(yōu)化切割工藝在多線(xiàn)切割機(jī)
上切割成超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片，保證超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片的制造質(zhì)量，提高生產(chǎn)效
率，降低了超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片的制造成本。
在太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)的硅片處理過(guò)
程中，硅片可能會(huì)從載片籃中浮起。本實(shí)用新型包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩片放置
板，放置板上平行設(shè)置有多個(gè)放置槽，兩片放置板的一邊通過(guò)連接片連接、
另一邊通過(guò)連接條連接，形成方筐結(jié)構(gòu)。每個(gè)放置板的兩個(gè)側(cè)邊開(kāi)有限位
條安裝口，限位條架設(shè)在兩片放置板上。所述的限位條為工字形，其四個(gè)
角與對(duì)應(yīng)的放置板的安裝口活動(dòng)連接。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，限位條的設(shè)
置有效避免了硅片從載片籃中浮起的發(fā)生。
太陽(yáng)能電池硅片的傳
輸裝置，它包括兩個(gè)相同規(guī)格的支撐架，每一個(gè)支撐架都包括第一梯級(jí)和第二
梯級(jí)，第一梯級(jí)位于第二梯級(jí)的外側(cè)，第一梯級(jí)的高度比第二梯級(jí)的高度高。
該太陽(yáng)能電池硅片的傳輸裝置的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)硅片大小和形狀改變的情況下，不需要更換運(yùn)輸裝置的任何部分，這樣可以省去了更換后的校準(zhǔn)等工作。
5.硅片的工藝
切割線(xiàn)直徑
更細(xì)的切割線(xiàn)意味著更低的截口損失，也就是說(shuō)同一個(gè)硅塊可以生產(chǎn)更多的硅片。然而，切割線(xiàn)更細(xì)更容易斷裂。
荷載
每次切割的總面積，等于硅片面積X每次切割的硅塊數(shù)量X每個(gè)硅塊所切割成的硅片數(shù)量 。
切割速度
切割臺(tái)通過(guò)切割線(xiàn)切割網(wǎng)的速度，這在很大程度上取決于切割線(xiàn)運(yùn)動(dòng)速度，馬達(dá)功率和切割線(xiàn)拉力。
易于維護(hù)性
線(xiàn)鋸在切割之間需要更換切割線(xiàn)和研磨漿，維護(hù)的速度越快，總體的生產(chǎn)力就越高。
生產(chǎn)商必須平衡這些相關(guān)的因素使生產(chǎn)力達(dá)到最大化。更高的切割速度和更大的荷載將會(huì)加大切割切割線(xiàn)的拉力，增加切割線(xiàn)斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。由于同一硅塊上所有硅片是同時(shí)被切割的，只要有一條切割線(xiàn)斷裂，所有部分切割的硅片都不得不丟棄。 然而，使用更粗更牢固的切割線(xiàn)也并不可取，這會(huì)減少每次切割所生產(chǎn)的硅片數(shù)量，并增加硅原料的消耗量。
硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素，因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線(xiàn)鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn)，因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外，如果線(xiàn)鋸工藝沒(méi)有精密控制，細(xì)微的裂紋和彎曲都會(huì)對(duì)產(chǎn)品良率產(chǎn)生負(fù)面影響。超薄硅片線(xiàn)鋸系統(tǒng)必須可以對(duì)工藝線(xiàn)性、切割線(xiàn)速度和壓力、以及切割冷卻液進(jìn)行精密控制。
無(wú)論硅片的厚薄，晶體硅光伏電池制造商都對(duì)硅片的質(zhì)量提出了極高的要求。硅片不能有表面損傷（細(xì)微裂紋、線(xiàn)鋸印記），形貌缺陷（彎曲、凹凸、厚薄不均）要最小化，對(duì)額外后端處理如拋光等的要求也要降到最低。 現(xiàn)況
為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)于更低成本和更高生產(chǎn)力的要求，新一代線(xiàn)鋸必須提升切割速度，使用更長(zhǎng)的硅塊從而提高切割荷載。更細(xì)的切割線(xiàn)和更薄的硅片都提升了生產(chǎn)力，同時(shí)，先進(jìn)的工藝控制可以管理切割線(xiàn)拉力以此保持切割線(xiàn)的牢固性。
使用不止一組切割切割線(xiàn)是在保持速度的前提下提高機(jī)臺(tái)產(chǎn)量的一個(gè)創(chuàng)新方法。應(yīng)用材料公司最新的MaxEdge 系統(tǒng)采用了獨(dú)特的兩組獨(dú)立控制的切割組件。
MaxEdge是業(yè)界第一個(gè)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)使用細(xì)切割線(xiàn)的線(xiàn)鋸系統(tǒng) ，最低可達(dá)到80μm。相對(duì)于業(yè)界領(lǐng)先的應(yīng)用材料公司HCT B5線(xiàn)鋸系統(tǒng)，這些改進(jìn)減少了硅料損失使產(chǎn)量提高多達(dá)50%。
更高生產(chǎn)力的線(xiàn)鋸系統(tǒng)在同樣的硅片產(chǎn)量下可以減少機(jī)臺(tái)數(shù)量。因此，制造商可以大幅降低設(shè)備、操作人員和維護(hù)的成本。
降低硅片的消耗量也就是直接降低了太陽(yáng)能電力的每瓦成本。
線(xiàn)鋸產(chǎn)品市場(chǎng)
硅片供應(yīng)商和希望自己控制切片工藝的整合晶體硅光伏組件生產(chǎn)商都需要使用線(xiàn)鋸設(shè)備。單晶硅和多晶硅光伏技術(shù)都需要使用到它。
大多數(shù)光伏線(xiàn)鋸設(shè)備是硅片供應(yīng)商購(gòu)買(mǎi)的。他們一般生長(zhǎng)硅錠或者硅塊、將硅原料切合處理成硅片，最終銷(xiāo)售給光伏電池制造商用于制造電池。業(yè)界最成功的應(yīng)用材料公司HCT B5線(xiàn)鋸系統(tǒng)的裝機(jī)量超過(guò)500臺(tái)，是光伏切片領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品。
結(jié)論
在光伏領(lǐng)域，線(xiàn)鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過(guò)程中的材料損耗，從而減少了太陽(yáng)能電力的硅材料消耗量。（因此，線(xiàn)鋸技術(shù)對(duì)于降低太陽(yáng)能每瓦成本并最終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。最新最先進(jìn)的線(xiàn)鋸技術(shù)帶來(lái)了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過(guò)更薄的硅片減少了硅材料的消耗。
6.請(qǐng)問(wèn)太陽(yáng)能電池（硅片）的生產(chǎn)工藝原理是怎樣的
太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造工藝 太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測(cè)——表面制絨——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。
具體介紹如下： 一、硅片檢測(cè) 硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。
該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè)，同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線(xiàn)等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線(xiàn)測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類(lèi)型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。
在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線(xiàn)、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測(cè)精度和效率。
二、表面制絨 單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。
硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來(lái)制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。
為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類(lèi)如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。
經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 三、擴(kuò)散制結(jié) 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的專(zhuān)用設(shè)備。
管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。
把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。
這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生產(chǎn)最基本也是最關(guān)鍵的工序。
因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線(xiàn)將電流引出，就是直流電。 四、去磷硅玻璃 該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。
在擴(kuò)散過(guò)程中，POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱(chēng)之為磷硅玻璃。
去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成，主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)?、壓縮空氣、純水，熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。
若氫氟酸過(guò)量，反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 五、等離子刻蝕 由于在擴(kuò)散過(guò)程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。
PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。
通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。
等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。
六、鍍減反射膜 拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。
PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。
一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的。
7.芯片內(nèi)的硅片到底是怎樣做的
如果問(wèn)及CPU的原料是什么，大家都會(huì)輕而易舉的給出答案—是硅。
這是不假，但硅又來(lái)自哪里呢？其實(shí)就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價(jià)格昂貴，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能強(qiáng)大，充滿(mǎn)著神秘感的CPU竟然來(lái)自那根本一文不值的沙子。
當(dāng)然這中間必然要經(jīng)歷一個(gè)復(fù)雜的制造過(guò)程才行。不過(guò)不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細(xì)選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。
試想一下，如果用那最最廉價(jià)而又儲(chǔ)量充足的原料做成CPU，那么成品的質(zhì)量會(huì)怎樣，你還能用上像現(xiàn)在這樣高性能的處理器嗎？ 除去硅之外，制造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經(jīng)成為制作處理器內(nèi)部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好于銅。
所謂電遷移問(wèn)題，就是指當(dāng)大量電子流過(guò)一段導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體物質(zhì)原子受電子撞擊而離開(kāi)原有位置，留下空位，空位過(guò)多則會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體連線(xiàn)斷開(kāi)，而離開(kāi)原位的原子停留在其它位置，會(huì)造成其它地方的短路從而影響芯片的邏輯功能，進(jìn)而導(dǎo)致芯片無(wú)法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合癥）的原因，當(dāng)發(fā)燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急于求成，大幅提高芯片電壓時(shí)，嚴(yán)重的電遷移問(wèn)題導(dǎo)致了CPU的癱瘓。
這就是intel首次嘗試銅互連技術(shù)的經(jīng)歷，它顯然需要一些改進(jìn)。不過(guò)另一方面講，應(yīng)用銅互連技術(shù)可以減小芯片面積，同時(shí)由于銅導(dǎo)體的電阻更低，其上電流通過(guò)的速度也更快。
除了這兩樣主要的材料之外，在芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程中還需要一些種類(lèi)的化學(xué)原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。CPU制造的準(zhǔn)備階段 在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進(jìn)行一些預(yù)處理工作。
而作為最主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要進(jìn)行化學(xué)提純，這一步驟使其達(dá)到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級(jí)別。
而為了使這些硅原料能夠滿(mǎn)足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過(guò)溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器而完成的。而后，將原料進(jìn)行高溫溶化。
中學(xué)化學(xué)課上我們學(xué)到過(guò)，許多固體內(nèi)部原子是晶體結(jié)構(gòu)，硅也是如此。為了達(dá)到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。
然后從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來(lái)看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。
不過(guò)現(xiàn)在intel和其它一些公司已經(jīng)開(kāi)始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的，不過(guò)只要企業(yè)肯投入大批資金來(lái)研究，還是可以實(shí)現(xiàn)的。
intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠而建立的工廠(chǎng)耗費(fèi)了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強(qiáng)大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠(chǎng)也耗費(fèi)了15億美元。
下面就從硅錠的切片開(kāi)始介紹CPU的制造過(guò)程。在制成硅錠并確保其是一個(gè)絕對(duì)的圓柱體之后，下一個(gè)步驟就是將這個(gè)圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產(chǎn)的處理器芯片就更多。
切片還要鏡面精加工的處理來(lái)確保表面絕對(duì)光滑，之后檢查是否有扭曲或其它問(wèn)題。這一步的質(zhì)量檢驗(yàn)尤為重要，它直接 決定了成品CPU的質(zhì)量。
新的切片中要摻入一些物質(zhì)而使之成為真正的半導(dǎo)體材料，而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質(zhì)原子進(jìn)入硅原子之間的空隙，彼此之間發(fā)生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導(dǎo)體的特性。
今天的半導(dǎo)體制造多選擇CMOS工藝（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）。其中互補(bǔ)一詞表示半導(dǎo)體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。
而N和P在電子工藝中分別代表負(fù)極和正極。多數(shù)情況下，切片被摻入化學(xué)物質(zhì)而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來(lái)設(shè)計(jì)，這種類(lèi)型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。
同時(shí)在多數(shù)情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現(xiàn)，因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程的后期，需要將N型材料植入P型襯底當(dāng)中，而這一過(guò)程會(huì)導(dǎo)致pMOS管的形成。 在摻入化學(xué)物質(zhì)的工作完成之后，標(biāo)準(zhǔn)的切片就完成了。
然后將每一個(gè)切片放入高溫爐中加熱，通過(guò)控制加溫時(shí)間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過(guò)密切監(jiān)測(cè)溫度，空氣成分和加溫時(shí)間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。
在intel的90納米制造工藝中，門(mén)氧化物的寬度小到了驚人的5個(gè)原子厚度。這一層門(mén)電路也是晶體管門(mén)電路的一部分，晶體管門(mén)電路的作用是控制其間電子的流動(dòng)，通過(guò)對(duì)門(mén)電壓的控制，電子的流動(dòng)被嚴(yán)格控制，而不論輸入輸出端口電壓的大小。
準(zhǔn)備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個(gè)感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它控制應(yīng)用。
這層物質(zhì)在干燥時(shí)具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過(guò)程結(jié)束之后，能夠通過(guò)化學(xué)方法將其溶解并除去。 光刻蝕 這是目前的CPU制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說(shuō)呢？光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕， 由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。
這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，。
