存儲器的擴(kuò)展方式有字?jǐn)U展、位擴(kuò)展、字位同時擴(kuò)展。存儲器芯片與單片機(jī)擴(kuò)展連接具有共同的規(guī)律。即不論何種存儲器芯片,其引腳都呈三總線結(jié)構(gòu),與單片機(jī)連接都是三總線對接。另外,電源線接電源線,地線接地線。
目前生產(chǎn)的存儲器芯片容量有限,在字?jǐn)?shù)或字長方面與實際存儲器要求有所差距,所以要在字向與位向兩方面進(jìn)行擴(kuò)充,才能滿足實際存儲器的要求。
cpu對存儲器進(jìn)行讀寫操作時,首先由地址總線給出地址信號,然后再發(fā)出有關(guān)進(jìn)行讀操作與寫操作的控制信號,最后在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交換。
擴(kuò)展資料:
存儲器的擴(kuò)展技術(shù):
總片數(shù)=總?cè)萘?(容量/片)。
例:存儲器容量為8K*8b,若選用2114芯片(1K*4b),則需要的芯片數(shù)為:(8K*8b)/(1K*4b)=16(片)。
(1)位擴(kuò)展。
只在位數(shù)方向擴(kuò)展(加大字長),而芯片的字?jǐn)?shù)和存儲器的字?jǐn)?shù)是一致的。即b前面不一樣,K前面保持一樣。
例:用64K*1b的SRAM芯片組成64K*8b的存儲器,所需芯片數(shù)為:(64K*8b)/(64K*1b)=8(片)。
位擴(kuò)展的關(guān)鍵就是將兩個存儲芯片當(dāng)成一個存儲芯片來用,讓兩個存儲芯片同時工作,同時被選中,同時做讀操作,同時做寫操作,要想保證同時,就是把兩個芯片的片選,用相同的信號進(jìn)行連接。
(2)字?jǐn)U展。
僅在字?jǐn)?shù)方向擴(kuò)展,而位數(shù)不變。即K前面不一樣,b前面保持一樣。
例:用16K*8b的SRAM組成以64K*8b的存儲器,所需芯片數(shù)為:(64K*8b)/(16K*8b)=4(片)。
(3)字和位同時擴(kuò)展。
參考資料來源:搜狗百科-位擴(kuò)展
參考資料來源:搜狗百科-字?jǐn)U展
容量擴(kuò)展主要有兩種方式,并位和串位,舉個例子,有個2KB的存儲器,我再擴(kuò)展個2KB的存儲器,如果是并位擴(kuò)展方式,地址范圍還是2k的空間,不過每次讀出的是16bit;如果是串位方式,則直接擴(kuò)展成4KB,有4k的地址范圍,每次讀出8bit,不知道你明白了沒有?這個跟片選信號連接方式,以及地址、數(shù)據(jù)線連接方式有關(guān).
一般來說是以Byte為讀取單位,通常都是串行擴(kuò)展,即地址線性擴(kuò)展,2KB的空間,再增加2KB,一共就4KB的存儲器,也是最常用的方式,地址線的高位通過譯碼電路構(gòu)成片選信號,低位為每片的地址信號.
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