存儲(chǔ)器編制方法(存儲(chǔ)器分類方法)
1.存儲(chǔ)器有哪些分類方法
按存儲(chǔ)介質(zhì)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。
磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。
按存儲(chǔ)方式
隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。
順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。
按讀寫功能
只讀存儲(chǔ)器（ROM）：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（RAM）：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
按信息保存性
非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。
永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。
按用途
根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為主存儲(chǔ)器、輔助存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器、控制存儲(chǔ)器等。
為了解決對(duì)存儲(chǔ)器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。
2.ARMTTDMI采用何種存儲(chǔ)器編制方式
ARM7微處理器系列 ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結(jié)構(gòu)，三級(jí)流水線，平均功耗為0.6mW/MHz，時(shí)鐘速度為66MHz，最適合用于對(duì)價(jià)位和功耗要求較高的消費(fèi)類應(yīng)用。
ARM7微處理器系列包括如下幾種類型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內(nèi)帶Cache的ARM核。ARM7主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋汗I(yè)控制、Internet設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器設(shè)備、移動(dòng)電話等多種多媒體和嵌入式應(yīng)用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴(kuò)展組合在一起，以減少內(nèi)存容量和系統(tǒng)成本。同時(shí)，它還利用嵌入式ICE調(diào)試技術(shù)來簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并用一個(gè)DSP增強(qiáng)擴(kuò)展來改進(jìn)性能。
該產(chǎn)品的典型用途是數(shù)字蜂窩電話和硬盤驅(qū)動(dòng)器。 提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個(gè)重要區(qū)別在于后者有存儲(chǔ)空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內(nèi)緩存（提高CPU性能），前者不支持實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE。
3.ARMTTDMI采用何種存儲(chǔ)器編制方式
ARM7微處理器系列
ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結(jié)構(gòu)，三級(jí)流水線，平均功耗為0.6mW/MHz，時(shí)鐘速度為66MHz，最適合用于對(duì)價(jià)位和功耗要求較高的消費(fèi)類應(yīng)用。ARM7微處理器系列包括如下幾種類型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內(nèi)帶Cache的ARM核。ARM7主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋汗I(yè)控制、Internet設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器設(shè)備、移動(dòng)電話等多種多媒體和嵌入式應(yīng)用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴(kuò)展組合在一起，以減少內(nèi)存容量和系統(tǒng)成本。同時(shí)，它還利用嵌入式ICE調(diào)試技術(shù)來簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并用一個(gè)DSP增強(qiáng)擴(kuò)展來改進(jìn)性能。該產(chǎn)品的典型用途是數(shù)字蜂窩電話和硬盤驅(qū)動(dòng)器。
提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個(gè)重要區(qū)別在于后者有存儲(chǔ)空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內(nèi)緩存（提高CPU性能），前者不支持實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE
4.存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)形式有哪些
c的char數(shù)據(jù)屬于基本類型，基本類型其中還包括-整型，實(shí)型，枚舉類型！ 數(shù)據(jù)在內(nèi)存中是以二進(jìn)制形式存放的。
數(shù)值是以補(bǔ)碼表示的。 整型： 一個(gè)正數(shù)的補(bǔ)碼和其原碼的形式相同。
而負(fù)數(shù)的補(bǔ)碼方式是將其絕對(duì)值的二進(jìn)制形式“按位求反再加1” 實(shí)型： 在內(nèi)存中占4個(gè)字節(jié)，是按照指數(shù)形式存儲(chǔ)的，實(shí)型數(shù)據(jù)分為小數(shù)部分和指數(shù)部分，分別存放！計(jì)算機(jī)用二進(jìn)制表示小數(shù)部分，用2的冪次來表示指數(shù)部分！ 字符型： 在內(nèi)存中字符的存儲(chǔ)實(shí)際上是把字符相對(duì)應(yīng)的ASCII代碼放到存儲(chǔ)單元中的。而這些ASCII代碼值在計(jì)算機(jī)中也是以二進(jìn)制形式存放的。
這個(gè)與整型的存儲(chǔ)很相似。因此這兩類之間的轉(zhuǎn)換也比較方便。
5.在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,有哪些實(shí)現(xiàn)片選控制的方法
這個(gè)問題比較專業(yè)，非計(jì)算機(jī)科班出身是不能解決的！~~ 這個(gè)是計(jì)算機(jī)原理里面的科目~
要點(diǎn)：存儲(chǔ)器系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)片選控制的方法如下：
(1)全譯碼法：微處理器全部地址都參與譯碼，如8086微處理器地址線A19-A0，因此對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器芯片中的任意單元都侖惟—的確定地址，不出現(xiàn)地址重疊。
(2)部分譯碼法：微處理器的地址低位部分作為片內(nèi)地址，部分的高位地址經(jīng)譯碼器后作為片選控制信號(hào)，還有部分高位地址空留沒用，這種譯碼方式稱為部分譯碼法。這種方法有地址重疊。
(3)線選法：在微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，若存儲(chǔ)容量較小.而且以后也不進(jìn)行系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)充，片選控制電路可由幾片小規(guī)模集成電路芯片組成；再用剩余地址線中的某一條或兩條作為控制信號(hào)線以便選擇不同的芯片。這種方法仍產(chǎn)生地址重疊。
6.存儲(chǔ)器技術(shù)指標(biāo)有哪四種
存儲(chǔ)器是具有“記憶”功能的設(shè)備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進(jìn)制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。
記憶元件可以是磁芯，半導(dǎo)體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。 位（bit）是二進(jìn)制數(shù)的最基本單位，也是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的最小單位，8位二進(jìn)制數(shù)稱為一 個(gè)字節(jié)（Byte），可以由一個(gè)字節(jié)或若干個(gè)字節(jié)組成一個(gè)字（Word）在PC機(jī)中一般認(rèn)為1個(gè)或2個(gè)字節(jié)組成一個(gè)字。
若干個(gè)憶記單元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，大量的存儲(chǔ)單元的集合組成一個(gè) 存儲(chǔ)體（MemoryBank）。為了區(qū)分存儲(chǔ)體內(nèi)的存儲(chǔ)單元，必須將它們逐一進(jìn)行編號(hào)，稱為地址。
地址與存儲(chǔ)單元之間一一對(duì)應(yīng)，且是存儲(chǔ)單元的唯一標(biāo)志。應(yīng)注意存儲(chǔ)單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。
根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)中處于不同的位置，可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。在主機(jī)內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲(chǔ)器稱主存儲(chǔ)器或內(nèi)存儲(chǔ)器。
在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲(chǔ)器內(nèi)。各個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問的存儲(chǔ)器稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。
另一種存儲(chǔ)器叫只讀存儲(chǔ)器（ROM），里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機(jī)讀出。RAM和ROM共同分享主存儲(chǔ)器的地址空間。
RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會(huì)丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)、價(jià)格原因，主存儲(chǔ)器的容量受限。
為滿足計(jì)算的需要而采用了大容量的輔助存儲(chǔ) 器或稱外存儲(chǔ)器，如磁盤、光盤等.存儲(chǔ)器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。 存儲(chǔ)容量：存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量稱為存儲(chǔ)容量。
一般主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲(chǔ)器（外存）在幾百K到幾千M字節(jié)。 存取周期：存儲(chǔ)器的兩個(gè)基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲(chǔ)單元與存儲(chǔ)寄存器（MDR）之間進(jìn)行讀寫。
存儲(chǔ)器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時(shí)間間隔，稱為取數(shù)時(shí)間TA；兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時(shí)間稱為存儲(chǔ)周期TMC。半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲(chǔ)器的可*性：存儲(chǔ)器的可*性用平均故障間隔時(shí)間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。
MTBF越長(zhǎng)，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強(qiáng)。 性能價(jià)格比：性能主要包括存儲(chǔ)器容量、存儲(chǔ)周期和可*性三項(xiàng)內(nèi)容。
性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標(biāo)，對(duì)于不同的存儲(chǔ)器有不同的要求。對(duì)于外存儲(chǔ)器，要求容量極大，而對(duì)緩沖存儲(chǔ)器則要求速度非?？欤萘坎灰欢ù?。
因此性能/價(jià)格比是評(píng)價(jià)整個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)很重要的 指標(biāo)。
7.存儲(chǔ)器的擴(kuò)展方式哪三種
存儲(chǔ)器的擴(kuò)展方式有字?jǐn)U展、位擴(kuò)展、字位同時(shí)擴(kuò)展。存儲(chǔ)器芯片與單片機(jī)擴(kuò)展連接具有共同的規(guī)律。即不論何種存儲(chǔ)器芯片，其引腳都呈三總線結(jié)構(gòu)，與單片機(jī)連接都是三總線對(duì)接。另外，電源線接電源線，地線接地線。
目前生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片容量有限，在字?jǐn)?shù)或字長(zhǎng)方面與實(shí)際存儲(chǔ)器要求有所差距，所以要在字向與位向兩方面進(jìn)行擴(kuò)充，才能滿足實(shí)際存儲(chǔ)器的要求。
cpu對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫操作時(shí)，首先由地址總線給出地址信號(hào)，然后再發(fā)出有關(guān)進(jìn)行讀操作與寫操作的控制信號(hào)，最后在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交換。
擴(kuò)展資料：
存儲(chǔ)器的擴(kuò)展技術(shù)：
總片數(shù)=總?cè)萘?（容量/片）。
例：存儲(chǔ)器容量為8K*8b，若選用2114芯片（1K*4b），則需要的芯片數(shù)為：（8K*8b）/(1K*4b)=16（片）。
(1)位擴(kuò)展。
只在位數(shù)方向擴(kuò)展（加大字長(zhǎng)），而芯片的字?jǐn)?shù)和存儲(chǔ)器的字?jǐn)?shù)是一致的。即b前面不一樣，K前面保持一樣。
例：用64K*1b的SRAM芯片組成64K*8b的存儲(chǔ)器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(64K*1b)=8（片）。
位擴(kuò)展的關(guān)鍵就是將兩個(gè)存儲(chǔ)芯片當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)芯片來用，讓兩個(gè)存儲(chǔ)芯片同時(shí)工作，同時(shí)被選中，同時(shí)做讀操作，同時(shí)做寫操作，要想保證同時(shí)，就是把兩個(gè)芯片的片選，用相同的信號(hào)進(jìn)行連接。
(2)字?jǐn)U展。
僅在字?jǐn)?shù)方向擴(kuò)展，而位數(shù)不變。即K前面不一樣，b前面保持一樣。
例：用16K*8b的SRAM組成以64K*8b的存儲(chǔ)器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(16K*8b)=4（片）。
(3)字和位同時(shí)擴(kuò)展。
參考資料來源：搜狗百科-位擴(kuò)展
參考資料來源：搜狗百科-字?jǐn)U展
